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阿布都拉國王科技大學 (King Abdullah University Of Science And Technology，KAUST)的研究團隊宣佈製造出波長為665nm的InGaN紅色LED，並提高了光輸出功率和外量子效率。
(圖片來源：KAUST)
研究團隊負責人Kazuhiro Ohkawa表示，採用GaN生產紅色LED是Micro LED顯示器制程的挑戰之一，且幾乎無法實現。Micro LED顯示器上的紅色通常是透過顏色轉換或以不同材料製成，良率相較於藍光及綠光LED較低。雖然改用銦In來代替大部分鎵Ga也同樣能夠獲得想要的紅色，但由於銦易於從晶體上蒸發，所以此方法也困難。
然而，KAUST團隊成功開發了一種晶體生長系統，可實現純紅色LED。他們製造了一個反應器，在晶體表面增加銦蒸氣，此過程稱為金屬有機氣相沉積，通過增加壓力，防止銦從晶體表面蒸發，使得銦濃度更高。
(圖片來源：KAUST)
此外，研究團隊還增加了具有較小原子的鋁元素，以減少晶體的應變，從而降低銦造成的晶體缺陷，提高輸出光的品質。同時，紅色LED的工作電壓為3.3V，僅為其他紅色LED的一半左右。
研究團隊認為，該成果能夠促使全彩化Micro LED顯示器的開發過程更加高效。研究結果已於2020年2月發表在《應用物理快報》（Applied Physics Express）上。
