中國在十四五規劃等國家政策的推動下，半導體集成電路領域正在快速成長，其中，第三代半導體器件憑藉較大的禁帶寬度、高導熱率、高電子飽和漂移速度、高擊穿電壓、優良的物理和化學穩定性等特點，備受企業和資本市場的熱捧。

據了解，國星光電於 2020 年啟動了組建功率器件實驗室及功率器件產線的工作，開始大力布局三代半封測領域。

近期，國星正式推出一系列第三代半導體新產品，其中，TO-220/TO247 系列的 SiC MOSFET 和 SiC SBD 產品已經進入了試產階段，並且在樣品階段完成了 AEC-Q101 車規級標準的摸底測試驗證工作。TO-247-3L 的性能達到 1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L 達到 1200V、13A、160mΩ。

與此同時，國星的三代半產品已送至第三方有資質的機構，正在依據 AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750 等有關車規級和工業級標准進行認證測試。

目前，國星光電在第三代半導體領域已經形成了 3 大產品系列，包括：SiC 功率器件、GaN-DFN 器件、功率模組。

SiC 功率器件：國星 SiC 功率器件小而輕便，反向恢復快、抗浪湧能力強、雪崩耐壓高，擁有優越的性能與極高的工作效率。目前該領域已形成了 2 條 SiC 功率器件拳頭產品線：SiC-MOSFET、SiC-SBD；擁有 4 種封裝結構（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可廣泛應用於大功率電源、充電樁等工業領域。

GaN-DFN 器件：國星 GaN-DFN 器件具有更高的臨界電場、出色導通電阻、更低的電容等優勢，使其尤適用於功率半導體器件，降低節能和系統總成本的同時，工作頻率更高，具有極高的功率密度和系統效率，可極大地提升充電器、開關電源等應用的充電效率，廣泛應用於新能源汽車充電、手機快充等。

功率模組：國星光電第三代半導體功率模組，採用自主創新的架構及雙面高效散熱設計，具有優越的電性能和熱性能，雜散電感低、轉換效率高、輕載損耗小等優勢，其功率密度大，產品體型小，可廣泛應用於各種變頻器、逆變器的工業領域，滿足系統開發人員對空間的嚴格要求。模組產品可根據特殊功能需求進行模組化定制開發。

展望 2021 年及未來，國星將把第三代半導體作為戰略發展新方向，不斷創造新的利潤增長點，同時助力推動第三代半導體產業國產化的進程。