晶能光電宣佈成功製造紅、綠、藍三基色矽襯底GaN基Micro LED陣列，在Micro LED全彩晶元開發邁出關鍵一步。

微米尺寸的Micro LED製造已脫離普通LED製程，進入IC製程。大尺寸矽襯底GaN晶圓有低成本、相容IC製程、易於襯底剝離等核心優勢，已成為Micro LED製備的主流技術路線之一。

國際上，Aledia、Plessey、ALLOS、STRATACACHE等企業均專注於矽襯底Micro LED研發，主要消費電子產業巨頭更在這領域投入大量資源，以期AR、VR等可穿戴設備巨大市場搶佔先機。

從Micro LED技術層面看，Micro LED走向大規模應用要求高良率和高光效的紅綠藍三基色MicroLED晶元。目前綠光和藍光GaN材料體系成熟，滿足Micro LED製程開發要求，而紅光Micro LED技術難點仍是Micro LED製程的一大阻礙。

傳統紅光AlInGaP體系因材料較脆和側壁非輻射複合嚴重，面臨良率和光效重大技術瓶頸。InGaN基紅光LED，尤其是大尺寸矽襯底上的InGaN基紅光LED寄以厚望。

近年海外頻傳關於InGaN基紅光Micro LED技術突破的消息。如今，晶能光電成功製備矽襯底紅光Micro LED，實現Micro LED全彩化取得關鍵性突破。

晶能光電晶元副總監黃濤介紹，本次矽襯底InGaN紅、綠、藍Micro LED陣列圖元點間距為25微米，圖元密度為1000PPI，在10A/cm2電流密度下的峰值波長分別為650、531和445奈米。InGaN紅光晶元的外量子效率（36mil，650奈米峰值波長）為3.5%，EL半高寬為70奈米。

晶能光電展示的矽襯底GaN基RGB Micro LED陣列。

此成果代表晶能成為中國首家實現矽襯底GaN基三基色Micro LED的企業，對中國Micro LED商用化有重要推動作用。

晶能光電一直專注矽襯底GaN基LED技術開發，目前矽襯底GaN基LED產品涵蓋365~660奈米可見光範圍，並有較高量產良率、波長集中度、光效和可靠性。

2018年，晶能光電開始矽襯底Micro LED的研發工作，並看好矽襯底GaN基Micro LED在AR/VR產業的巨大應用前景。

晶能光電展示矽襯底GaN基RGB Micro LED歸一化光譜。

晶能光電展示36mil尺寸矽襯底GaN基紅光LED光譜。

晶能光電錶示，未來相關廠商需持續努力解決諸如InGaN紅光光效、發光半高寬、以及最終全彩化方案等關鍵問題。還需要與產業鏈廠商形成聯動，透過產業鏈協同效應，共同推動Micro LED顯示技術的規模應用。（LEDinside整理）