近年來，在產業鏈持續加碼和終端廠商加速佈局下，Mini/Micro LED終端產品不斷湧現，開始逐步打開廣闊的應用空間。但目前Mini/Micro LED尚未進入成熟階段，若要實現大規模量產，上游晶片技術將是其中一個關鍵因素。

華燦光電始終專注於LED外延片及晶片技術的研發生產，對Mini/Micro LED技術進行全方位戰略部署。那麼，隨著新型顯示時代的到來，華燦光電在Mini/Micro LED晶片製造製程方面積累了哪些經驗？晶片進展和規劃如何？

5月24日，華燦光電外延技術開發總監張奕出席2022集邦諮詢新型顯示產業研討會，圍繞新一代顯示用Mini/Micro LED晶片技術，分享華燦光電晶片製造關鍵技術及解決方案。

▲ 華燦光電外延技術開發總監張奕。

Mini/Micro LED未來市場空間廣闊

與其他顯示技術相比，Mini/Micro LED顯示在對比度、響應時間、視角、色域、亮度、功耗效率和解析度等方面都有比較明顯的優勢。

張奕認為，目前Mini LED應用呈現出Mini RGB直顯和Mini LED背光雙輪驅動之勢。

Mini LED RGB顯示技術是小間距顯示螢幕的自然延伸，無論是下游應用還是製程技術均可無縫銜接，有望為LED顯示螢幕注入新的源頭活水。在P1.1以下的顯示螢幕應用市場，Mini LED為主流晶片方案。

除直顯外，背光應用是Mini LED產業化的另一重要推手。Mini LED背光與Local Dimming結合可以實現超高對比度，進一步降低能耗，還具有寬色域、輕薄化和高亮度的明顯優勢，適用於電視、平板、電競顯示和車載等領域。

不過，近年來Mini LED背光發展依然面臨成本高的難題。對此，張奕表示，隨著良率的提高，Mini LED背光顯示的成本將以每年15%-20%的幅度下降，能大比例替代現有的LED背光，成為中大尺寸液晶背光顯示方案的主流選擇。

而Micro LED為超高清顯示的終極技術，未來將應用於電視、手機、AR/VR，車載顯示、可穿戴電子和數位顯示等應用領域，其中穿戴應用、高階顯示應用將是Micro LED的主要切入點。

前瞻性佈局Mini LED晶片領域

張奕表示，Mini LED晶片與傳統晶片的差異，在於傳統的正裝晶片轉換成了倒裝的晶片，倒裝晶片在顯示應用上具有更低的晶片熱阻、更好的視覺一致性、無需金線及更好的可靠性等技術優勢。

在倒裝晶片的製作中，各種技術十分關鍵。張奕細緻講解了高可靠性，高亮度的倒裝晶片製程、高效鈍化層的製作、金屬連接層的平滑覆蓋、高可靠性的電極、不同電流密度下的光效匹配能力、抗ESD/EOS性能6大技術。

除了上述6大技術，張奕還詳細講解了Sn Bump和True-Color兩大Mini LED關鍵共性技術，以及出光調節設計和高壓Mini LED技術。

張奕稱，出光調節設計是華燦光電一項關鍵的Mini LED背光技術。該技術能優化膜層結構設計，調節晶片出光，更易實現超薄設計。而高壓Mini LED技術，華燦光電已有6年量產經驗以及良好的業績紀錄。

產品路線方面，目前，華燦光電的Mini LED直顯以4×8為量產主力，3×6也已實現批量生產；Mini LED背光方面，6×20已批量供應戰略合作夥伴，高壓產品逐步導入，合作定制不同規格多款產品。

華燦光電Mini LED技術及解決方案也已獲得了眾多行業內龍頭企業青睞。例如，媒體資料顯示，華為V75 Super智慧螢幕以及創維創維鳴麗螢幕Smart Mini LED電視Q72的Mini LED晶片供應商均為華燦光電，側面印證了華燦光電的技術優勢和產品品質。

持續加強Micro LED晶片技術開發

對於Micro LED，張奕表示外延材料的高度一致性、微米級晶片製作的精度控制和良率、巨量轉移的高良率、全彩化的有效實現、控制線路，驅動和背板的設計、壞點的有效修復是其技術的關鍵。

Micro LED外延進展方面，華燦光電目前6吋平片取得了較好的效果，其中藍光外延片波長均勻性達0.62奈米，綠光外延片波長均勻性達0.8奈米。

張奕指出，從Mini LED發展至Micro LED，晶片製程IC化起著至關重要的作用，製造製程過程對潔淨度要求十分嚴格。因此，華燦光電專門為Micro LED產線設計了超高潔淨度的潔淨室。

據介紹，華燦光電擁有超過1,000㎡的百級潔淨室，能同時實現R/G/B的晶片製作，擁有亞微米黃光區以及Bonding/LLO/ALD/ICP/Sputter等Micro LED作業設備，可以提供晶片、UBM以及模組製作能力。

通過高精度的生產製程線，華燦光電形成亞微米製程線寬控制能力、側面保護與修復、襯底剝離、金屬及多種材料鍵合、批量測試及光型調控的製程技術，以及>8um倒裝及垂直晶片供應能力（COW/COC）。

製程控制方面，華燦光電從In Bump、光刻、側壁和後台四個方面進行優化。張奕稱，對於Micro LED來說，盡可能使側壁垂直和均勻，可以降低邊緣效應導致光效降低的問題；檯面優化則與可靠性有非常重要的關聯。

目前，華燦光電採用的是襯底激光剝離技術，剝離圖形化襯底和非圖形化襯底均可做到比較高的完整度。

Micro LED缺陷控制水平方面，目前華燦光電可以實現99.99%的良率（20*40um），最高可實現99.999%的良率。

在Micro LED全彩化技術上，張奕介紹介紹了獨立三基色LED轉移到基板上實現全彩、在特殊基板上生長GaN基的RGB三色LED、將RGB三色LED外延材料垂直鍵合到一起、利用UV/藍光LED和量子點/納米熒光粉實現全彩四種技術。

Micro LED巨量轉移技術上，目前業內有靜電吸附、電磁吸附、范德瓦爾斯力、流體裝配和激光燒灼等主流技術，華燦光電並不拘泥於某一項技術技術，而是積極與廠家合作、自行研發或嘗試多種技術。

小結

做為全色系顯示晶片企業，華燦光電深耕LED晶片行業，在Mini/Micro LED新型顯示技術開發和應用上不斷取得突破。

目前，華燦光電Mini LED倒裝RGB直顯晶片已經實現大規模量產；Mini LED背光晶片技術趨於成熟，在平板，大尺寸TV，電競，車載顯示上展現出優勢，發展規模將逐步增長。

Micro LED在華燦光電等產業鏈上下游積極共同努力下，商業化步伐正在逐步加快。張奕表示，目前Micro LED處在方案開發當中，需要上中下游聯合開發，未來將從小螢幕穿戴領域和大螢幕高階顯示領域優先導入。

（文：LEDinside Mia）