外媒報導，堆疊式RGB Micro LED微型顯示器開發商Sundiode宣佈，與GaN技術開發商Soft-Epi共同達成單個藍寶石晶圓上生長單片全InGaN RGB LED結構。

圖片來源：Sundiode

Sundiode總部位於美國加州，致力開發AR / MR等設備用Micro LED顯示技術。2021年4月，Sundiode公佈專有堆疊式RGB Micro LED畫素技術，與傳統Pick & Place工藝單獨轉移R / G / B三個圖元不同，Sundiode只需將單晶圓堆疊式RGB Micro LED畫素陣列直接接到矽基CMOS背板上。

Sundiode的外延技術使開發多結（Multiple junctions）堆疊式RGB LED晶片更有可能，晶片能獨立發出RGB光。採這種晶片結構，製造商更易生產超高密度微型顯示器。

Sundiode表示，由於晶圓測試採快速檢查，單片RGB LED結構可為級聯多結LED（Cascade multi-junction LED）工作，檢測發光則證實級聯LED正常運作。

合作方Soft-Epi為韓企，為GaN技術開發商，2021年成功開發基於GaN的紅、藍、綠光LED。去年Soft-Epi開發出號稱南韓首款紅色GaN外延片，產品已量產出貨。（LEDinside整理）