台亞首顆 650 V GaN 功率元件順利試產!子公司積亞明年量產 SiC 晶圓

台亞半導體 26 日召開法說會,雖然第二季表現仍受總體經濟情勢和終端消費力道影響,但從季成長率來看主要客群狀態,市場復甦已露曙光。

首圖來源:台亞

台亞總經理衣冠君指出,在氮化鎵方面,產線承襲過往矽功率元件的製程環境與技術經驗,並購入專為氮化鎵生產的有機金屬化學氣相沉積磊晶(MOCVD)等設備,已順利試產首顆符合 D-mode 650V 氮化鎵功率元件,在動、靜態方面參數都可以達到業界標準,後續待客戶驗證完畢後,可望提供產品代工服務。

台亞旗下子公司「積亞半導體」為專職製造碳化矽(SiC)晶圓,未來將根據客戶不同需求,以自製磊晶晶圓,協助製造 SiC 積體電路晶圓,為客戶帶來良好服務及產品品質。

積亞半導體總經理王培仁在法說會表示,積亞半導體目前尚處於建置無塵室階段,無塵室預計於今年 8 月完工,並於 2024 年 1 月進行試產,預計明年第三季進入量產,並於 2025 年達到滿產能。

積亞半導體初期生產的 SiC 元件,主要聚焦製造白色家電、AI 伺服器電源供應器(server PSU)等相關功率元件市場,中長期目標為取得車用認證,進入車載充電器(OBC)、車用逆變器(traction inverter)等車載元件市場,擠身國際電動車供應鏈。

台亞近期在碳化矽、氮化鎵都有非常大的投資金額在進行,預計未來新廠建置也是為了化合物半導體所建,目前規劃未來碳化矽及氮化鎵月產約近 5,000 片,但此量額遠不及未來電車與新能源市場需求,台亞集團已開始規劃未來三年擴廠計畫,積極向政府爭取 4 公頃銅鑼區用地建置新廠,擴大碳化矽、氮化鎵等生產線。(轉載自科技新報

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