近日，中微半導體設備（上海）有限公司發布了面向22納米及以下晶圓生產的第二代300毫米甚高頻去耦合反應離子刻蝕設備 -- Primo AD-RIE™。產品將於3Q2011年付運。第一台 Primo AD-RIE 將進入亞洲一流晶圓代工廠。

中微 Primo AD-RIE 應用了先進的射頻系統保證了刻蝕過程的穩定性和可重複性，更好的調諧能力確保了超精細的關鍵尺寸均勻度，更優異的反應室內壁材料以降低缺失來提高產品良率；同時保證了晶圓加工的質量，實現了35%到50%的資本效率增益，總體擁有成本降低20%至40%；更加緊湊的產品設計 -- 佔地面積比同類最大設備小至少30%，這些都使得 Primo AD-RIE 成為當前半導體設備市場上最高產出率、最低生產成本的先進刻蝕設備。

Primo AD-RIE 在促進中微第一代刻蝕設備技術創新的同時，擴大了其自身的加工領域。其主要部分是一組創新的少量反應台反應器的簇架構，可以靈活地裝置多達三個雙反應台反應器，以達到最佳晶圓加工輸出量。每個反應器都可以實現單晶圓或雙晶圓加工。獨特的反應器腔體設計融合了中微專有的等離子體聚焦和噴淋頭技術，確保了晶圓加工的質量。

Primo AD-RIE 的一些基本特徵使其更具備28納米以下關鍵刻蝕加工的能力，這些基本特徵包括：除了已有的60兆赫茲射頻以外，2-13.5兆赫茲可切換射頻使 Primo AD-RIE 加工範圍更加廣泛，獨特的射頻輸入和對稱分佈改善了等離子密度的均勻分佈，三區氣體分佈和雙調諧氣體提高了刻蝕的均勻度和調諧性，靜電吸盤雙區冷卻裝置提高了晶片溫度的可調性並極大改善了晶圓片的刻蝕均勻度。

系統特點和優勢：

1、去耦合反應離子刻蝕實現了離子濃度和離子能量的獨立控制；

 2、獨特的甚高頻射頻輸入和對稱分佈可在大批量生產環境中仍能確保實現重複性結果的精準控制；

3、具有自主知識產權的等離子體聚焦使刻蝕過程更為穩定可靠，有更寬泛的工藝窗口；

 4、每個反應台獨立的射頻發生器、各反應台均勻度的分別控制和刻蝕終點控制，使每片晶圓可以在獨立的反應環境中被刻蝕處理；

 5、從底部供能的高頻射頻提供了穩定、低壓、高密度度的等離子體，保持 low-k 材料的完整性；

6、具有自主知識產權的、具有快速、穩定、可靠的調諧能力的自隔離射頻匹配裝置；

7、反應腔內壁選用高純度、耐等離子特殊材料，開發了最佳的材料加工過程，大大降低了損耗，將雜質微粒數降到最低；

 8、電阻上電極直接加熱處理的閉環控製為持續的晶圓加工過程提供了精確、快速的溫度控制；

 9、雙反應台反應器的簇架構，可配置多達六個單晶圓加工反應台，即在較小的佔地面積上獲得很高的輸出量；

10、模塊化的系統架構使安裝和維護操作更簡便。