科銳推出芯片型碳化硅功率器件 助力高效電力電子模組

符合全面認證的碳化硅MOSFET芯片 為太陽能、通訊、工業電源應用創造新的能源效率機會

碳化硅（SiC）功率器件領域的市場領先者科銳公司（Nasdaq: CREE）將繼續引領高效率電子電力模組變革，宣佈推出業界首款符合全面認證的可應用於電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET™ MOSFET器件和二極管適用於高階電力電子電路，與傳統硅器件相比，可實現更高的能源效率。

                                    
功率模組通常將MOSFET和二極管等一系列分立功率開關器件封裝在一個獨立的集成封裝內，可應用於三相工業電源、通訊電源系統以及太陽能和風能系統中功率逆變器等高壓電力電子應用領域。在傳統MOSFET封裝技術中，長引線中的寄生電感會限制碳化硅MOSFET的轉換性能。通過使用科銳替代型裸芯片，電路設計人員能夠充分利用碳化硅技術轉換性能的優勢，有效地降低封裝中寄生電感的影響。

科銳副總裁兼功率和射頻（RF）產品研發部門總經理Cengiz Balkas表示：「隨著全面符合標準的碳化硅MOSFET作為未封裝芯片的運用，電源模組製造商能夠充分瞭解到碳化硅器件的性能優勢 - 實現更好的高溫操作條件，更高的開關頻率以及更低的開關損耗，並且能夠擺脫傳統分立器件塑料封裝所帶來的侷限。電力電子模組中碳化硅功率器件的設計優勢在於能夠以更少的器件實現更高的電流和電壓，從而實現最大功率密度以及更高的可靠性。」

Balkas同時表示：「電源模組製造商可將科銳1200V MOSFET功率器件和肖特基二極管以芯片的形式相結合，創造一個專為超高功效電力電子系統而設計的『全碳化硅』模組。這些新型模組能夠充分體現碳化硅材料優勢，可實現零反向恢復損耗、不受溫度影響的開關、低電磁干擾下高頻運行，以及更高電子雪崩能力，其開關頻率較傳統以硅為材料的解決方案可高出5倍至8倍。在更高開關頻率下可使用較小磁性和電容性的元件，從而可以縮減系統體積、降低重量和成本。」

科銳新型MOSFET系列功率器件目前已發佈兩個型號CPMF-1200-S080B封裝尺寸為4.08 mm × 4.08 mm，額定電壓/電流為1200 V / 20 A，標準導通電阻為80 mΩ；CPMF-1200-S160B的封裝尺寸為3.1 mm × 3.1 mm，額定電壓/電流為1200 V / 20 A，標準導通電阻為160 mΩ。兩款器件的工作結溫均為-55 °C至+135 °C。

科銳兩款1200V MOSFET裸芯片已經發佈並能夠量產使用，客戶可通過科銳以及科銳無線射頻（RF）代理商Semi Dice瞭解器件的供貨情況。科銳已發佈產品說明以及包括對芯片鍵合等詳細的設計指導建議，以幫助電源模組製造商使用新器件並優化設計。同時，科銳十分願意為客戶提供碳化硅MOSFET器件模型以幫助其進行初期模擬仿真及評估。如欲下載科銳模型，敬請訪問：www.cree.com/power/mosfet_model_req.asp. 如需索取樣品及進一步瞭解科銳碳化硅功率器件的更多詳情，敬請訪問： www.cree.com/power。

在過去20多年中，科銳一直是碳化硅 MOSFET領域公認的領先者，擁有超過50項碳化硅MOSFET技術專利，同時還有多項專利正在申請中。

關於科銳（CREE）
科銳成立於1987年，是美國上市公司（1993年，納斯達克：CREE），為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻於一體的著名製造商和行業領先者。科銳LED 照明產品的優勢體現在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨一無二的材料技術與先進的白光技術，擁有1,300多項美國專利、2,900多項國際專利和389項中國專利（以上包括已授權和在審專利），使得科銳LED產品始終處於世界領先水平。科銳照明級大功率LED，具有光效高、色點穩、壽命長等優點。科銳在向客戶提供高質量、高可靠發光器件產品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案。