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全球領先半導體行業沉積設備供應商AIXTRON 愛思強已與位於德國埃爾朗根的研究機構弗勞恩霍夫IISB（系統集成和元件研究所）合作，採用全新AIXTRON 愛思強8x150 毫米G5WW 氣相外延（VPE）系統，開發150 毫米碳化矽（SiC）外延制程工藝。IISB 的潔淨實驗室將於2014 年第四季度安裝AIXTRON 愛思強的Planetary Reactor®行星式反應器。
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弗勞恩霍夫IISB 材料部門主任Jochen Friedrich 博士評價道，“通過這一合作關係，我們預期通過將我們的碳化矽外延層專有制程工藝與AIXTRON 愛思強的碳化矽設備專業知識結合，從而進一步加快150 毫米碳化矽在業內的推行。我們將採用G5WW 生產系統，進行制程工藝優化，並在埃爾朗根的IISB 設施予以展示。”
弗勞恩霍夫IISB 深入本質瞭解低缺陷密度碳化矽外延制程工藝，該制程工藝對於製造高壓碳化矽器件必不可少。弗勞恩霍夫IISB 已經開發了室溫光致發光成像和選擇性缺陷蝕刻等特殊表徵技術，並根據碳化矽材料特性加以調整。研究所實驗室可以加工整套碳化矽原型器件，並進行表徵。
AIXTRON 愛思強功率電子專案副總裁Frank Wischmeyer 博士表示，“弗勞恩霍夫IISB在碳化矽外延技術和表徵方面擁有廣受世界認可的經驗，我們在此基礎上使用我們領先的G5WW 生產設備，共同實現150 毫米碳化矽晶片外延生產制程的優化。此次合作的目標在於展示針對碳化矽高功率器件碳化矽材料要求的量產制程工藝。通過雙方協作，我們協助全球AIXTRON 愛思強顧客在2015 年之後實現從100 毫米到150 毫米碳化矽制程科技的轉移，為未來的碳化矽高功
率器件提供高效經濟的制程。”
目前，市面上出售肖特基二極體和金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）等各種各樣的碳化矽器件，它們被實際應用於電腦伺服器及電視開關電源，太陽能逆變器，以及UPS、醫療設備或通勤列車的高效功率轉換器。為推動碳化矽在功率電子設備的廣泛應用，降低碳化矽半導體材料製作和元件加工的成本便成為了推行150 毫米碳化矽技術的目標。
