PSS(Patterned Sapphire Substrate)，也就是在藍寶石襯底上生長乾法刻蝕用掩膜，用標準的光刻製程將掩膜刻出圖形，利用ICP刻蝕技術刻蝕藍寶石，並去掉掩膜，再在其上生長GaN材料，使GaN材料的縱向發展變為橫向。

一方面可以有效減少GaN外延材料的位錯密度，從而減小有源區的非輻射複合，提升內量子效率，減小反向漏電流，提高LED的壽命;另一方面有源區發出的光，經GaN和藍寶石襯底界面多次散射，改變了全反射光的出射角，增加了倒裝LED的光從藍寶石襯底出射的幾率，從而提高了光的提取效率。

圖為廣州展某展商展出的PSS製程

綜合這兩方面的原因，使PSS上生長的LED的出射光亮度比傳統的LED大大提高，總體亮度可以有30%-50%的提升。同時反向漏電流減小，LED的壽命也得到了延長。

運用PSS圖形化襯底來生長外延片是業內公認的提升亮度最有效最直接的方法，也是大功率高亮度外延片的第一選擇。
 

目前PSS襯底價格比普通藍寶石襯底上價格高，主要是因為藍寶石襯底比較堅硬，無論是干法刻蝕還是濕法腐蝕，整片圖形做好一致性、均勻性都有一定難度，製作過程對設備和製程要求很高，這是導致PSS襯底價格偏高的一個主要因素，據LEDinside統計，圖形化製程處理過的藍寶石基板，可以創造較大的價差。

不過相對亮度提升帶給晶元的價值提升，PSS的成本在外延片整體成本中的佔比不足9%,外延廠商還是有很大的意願去採用PSS。根據國際研究機構集邦(TrendForce)旗下LEDinside統計5月份台灣整體PSS單月產能已近65萬片（約當2吋，下同），Q3更有機會超過100萬片。

另外，在中國大陸市場，因為技術前景明朗且利潤可觀，基板廠和晶圓廠都有興趣在PSS製程上有突破，這類廠商日益增加，但因為技術上有一定的差距，故各家公司借由各種方式來獲取技術。有部分極力重金蒐羅台灣的PSS人才。另外一些則是通過合資公司的形式獲取技術。東晶電子5月的一份公告稱，公司擬與外方股東韓國CTLab有限責任公司設立合資公司（浙江東晶博藍特光電有限公司），註冊資本為800萬美元，主營LED圖形化藍寶石襯底片、外延片的研發、生產、銷售。而協鑫集團則與韓國AND公司合作成立同鑫光電科技，設計產能即達到360萬片/年，因為產能很大，倍受關注。