由科學家Shuji Nakamura、Steven DenBaars所主持的美國加州大學聖塔芭芭拉分校（University of California, Santa Barbara；UCSB）非極性GaN材料研究團隊，日前宣佈該團隊研發出的藍紫光InGaN LED，於200mA的高電流下創造出250mW輸出功率的新高紀錄，具備有41%的外量子效率（EQE）。

該團隊的成果是讓這款LED在20mA的電流下工作，可達到28mW的輸出功率，當時的波長最高為402nm，而外量子效率為45.4％，之後將電流提高到200mA時，輸出功率達250mW，外量子效率只有些微的下降程度，達到41％。

過取以來，透過生長的方式打造非極性GaN LED被視為提高效能的手段，可是目前非極性GaN LED的效率都遜於傳統的LED架構，該研究團隊透過日本三菱化學提供的m面GaN襯底，是這次研究獲得突破性成果的主要原因。三菱化學是採用HVPE方法產生的C面GaN進行切片獲得m面GaN襯底。

該研究團隊仍致力於打造更加效能的技術，並已經展開透過標準製程來打造新晶片的工作，設法提高產品效率。不過，若是要商業化，得克服m面GaN襯底的產量與價格問題，加上m面GaN襯底的尺寸非常小，未來如何應用傳統的MOCVD設備來打造又不至於成本過高，是待克服的問題。