首爾半導體對日亞化學提出控訴

來源: 
http://www.seoulsemicon.com/_homepage/home_eng/asp/news_content.asp?news_idx=52

首爾半導體(Seoul Semiconductor)於2007年12月4日向美國國際貿易委員會(ITC)提出訴訟,控訴日亞化學以不公平貿易方式在氮化鎵(GaN)類的雷射二極體(Laser diode)與發光二極體(LED)產品進口與銷售侵犯首爾半導體在美國登記的第5,321,713(簡稱713)項專利。

首爾半導體以投資超過1,000萬美元在研發Laser diode與LED等相關技術,由於這些投資使得首爾半導體獲得許多Laser diode與LED相關專利。包含713專利等這些專利總共超過1,000項以上。

首爾半導體另一向正在進行的美國登記第5,075,742項專利(簡稱742專利)侵權訴訟,也在2007年11月6日向美國德州東區地方法院提起。742專利是關於白光、藍光、綠光與紫外光的LED與Laser diode等技術。

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