近日,從事GaN外延基板開發及銷售等業務的風險企業POWDEC,公開開發表了利用GaN類半導體的肖特基勢壘二極管(SBD),預估2012年前量產。 該二極管是面向逆變器電路及功率因數校正電路等功率用途的產品,耐壓可確保在600V以上。其特點在於,在利用GaN類半導體的情況下,仍可低成本製造。POWDEC認為「原則上有望以相當於LED的低成本製造」。該公司表示,通過使用藍寶石基板,降低製造成本已有了眉目。