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近日，“十一五”863計劃“半導體照明工程”重大項目課題“GaN基同質襯底外延材料生長技術”取得顯著成果，目前已順利通過驗收。
在863計劃支持下，課題承擔單位北京大學研究開發了高質量GaN表面處理技術，通過優化LED外延結構、晶元結構和工藝過程，課題成功實現了450-460nm的發光波長在350mA驅動電流下光功率423mW以上的LED器件製備，出光效率達到70%以上。
目前，基於上述技術和工藝優化，該課題掌握了可重複的高質量GaN襯底及同質外延的核心技術，開展了高性能LED製備技術研究。此外，課題的順利實施，為實現我國具有自主知識產權的GaN襯底外延材料的製備提供了技術支撐。
