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近日，由山東華光光電子有限公司承擔的“基於SiC襯底的大功率GaN基LED製造技術”課題，在“十一五”863計劃“半導體照明工程”重大項目的支持下，取得重要突破，目前已順利通過驗收。
“基於SiC襯底的大功率GaN基LED製造技術”課題重點研究了SiC襯底成核層生長、襯底去除、反射鏡製備、表面粗化、歐姆電極製備和晶元切割等關鍵技術，在EBL層Al組分漸變、非對稱量子壘、極化效應抑制等技術方面實現了突破與創新。
課題研發的SiC基大功率LED晶元，光輸出功率達到350mW以上，封裝后白光光效達到109lm/W。目前，課題承擔單位已對LED晶元進行了小批量生產，產品質量穩定。
“基於SiC襯底的大功率GaN基LED製造技術”課題的順利實施，將進一步推動我國基於SiC襯底半導體照明技術的發展，為縮小與國外高端產品的差距奠定了良好基礎。
