近日，羅姆半導體首次公開展出了採用溝道構造的SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）和金氧半場效晶體管MOSFE（Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect Transistor）。

                           
                                     溝道型SBD

溝道型SBD的特點在於，與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓（以下稱導通電壓）較低。溝道型SBD的導通電壓為0.5V，降到了以往1.2V的一半以下，低於Si制FRD（Fast Recovery Diode，快恢復二極管）的0.6V。

SBD儘管可通過改進電極金屬及成膜條件來降低導通電壓，但卻存在漏電流變大的課題。此次在降低導通電壓的同時，通過挖掘溝道後在其中設置p型層，減輕了電場集中效應，抑制了漏電流。通過這一手段，實現了0.5V的導通電壓。「

相關人員介紹，與以往構造的SiC制SBD相比，溝道型SBD將漏電流減小了5位數。此次試制的是耐壓為600V、電流容量為10A的品種。但目前該產品還只是研發品，目標是2年後實現實用化。在以往構造的SBD方面，羅姆也在努力降低導通電壓，打算陸續推出產品。

                           
                                           溝道型SiC制MOSFET

同時展示的溝道型SiC制MOSFET，其耐壓600V下導通電阻只有1mΩcm2。比耐壓相同的Si制超結（Super-Junction）構造的MOSFET及IGBT小1位數。

導通電阻小是因為採用了不僅在柵極正下方而且還在源極正下方設置溝道的「雙溝道構造」。在源極正下方挖掘溝道，並在該溝道中設置p型層。通過這一手段，減輕了截止時柵極部分產生的電場集中效應，促進了導通電阻的降低。

該SBD和MOSFET在2011年9月舉行的SiC國際學會「ICSCRM 2011」上曾做過發佈。