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計劃進行III-V族硅二極體激光器的聯合研究
2012年8月28日，德國斯圖加特大學再度向愛思強訂購一套3x2英寸底材規格的近耦合噴淋頭系統。該系統將由斯圖加特大學半導體光學和功能介面研究所(Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen, IHFG)的研究團隊使用。
IHFG專註于半導體光學和外延領域的研究。新的愛思強系統將用於拓展IHFG在以砷化鎵(GaAs)為底材的光電領域的研究，尤其是用於生產固態激光器。這套新系統于2012年第一季度訂購，並將於2012年第三季度交付。
IHFG的Michael Jetter博士評論說：“這套3x2英寸的近耦合噴淋頭系統將會用於兩個方面：一方面我們希望製造以砷化鎵為基材的激光器，另外我們希望能夠將這一技術轉移到硅基材上。作為專註于半導體光學的專業機構，我們的主要研究領域是半導體激光器以及低維度結構，如量子阱（QW）和量子點(QD)等。”
研究工作的重點之一是量子密碼學和單光子發射器。然而，研究人員預期研究工作也將為汽車電子帶來機遇。研究人員將利用愛思強的MOCVD技術，在硅基材上生長III-V族材料。Jetter博士表示：“我們希望在硅質電子設備上實現光學功能，也就是在兼容CMOS的硅基材上以單片形式整合III-V族的光學設備（基於量子阱或量子點的激光器和LED等）。這樣可以實現晶元內、晶元間乃至板卡間的光學數據互連。”
愛思強的設備也將安裝在斯圖加特光子工程研究中心（SCoPE），用於增進斯圖加特大學科學家與工程師之間的跨領域合作。IHFG計劃與愛思強在斯圖加特地區展開聯合研究和其他科學項目的進一步合作，著重在硅基材上生長III-V族材料。
