上海藍光經過多年的研發攻關，近日在介質復合襯底上取得重大突破。通過緩衝層與介質襯底的組合技術，各項參數達到或超過目前最優的PSS藍寶石襯底方案，完全可以取代目前昂貴的藍寶石PSS襯底方案，並且可以突破現有的PSS襯底及兩步生長法兩項重大基礎專利的封鎖。

從2006年開始，日本日亞化學(Nichia)、豐田合成(Toyoda Gosei)、美國Cree公司、飛利浦(Philips Lumileds)和德國的歐司朗(Osram)五大巨頭及韓國的三星、LG，台灣的晶電、億光等企業之間的專利訴訟持續不斷，如日亞與億光的專利訴訟自2006年至今未停止。同時他們之間又通過專利授權和交叉授權來進行來形成團體優勢，對後續進入者形成了更高的門檻。這其中除2008年2月和8月兩次「337調查」中涉及大陸企業，其他訴訟中暫未涉及大陸企業。

隨著大陸產能的急劇擴張和產品競爭力的不斷增強，針對中國大陸企業的專利訴訟一觸即發，雖然中國國內部分企業通過收購或入股國外或台灣企業，但其實並未掌握起決定作用的幾個核心基礎專利，對現有主流產品的專利保護相當脆弱。PSS襯底專利及兩步生長法專利都是目前LED專利中非常重要的基礎專利，掌握在日亞等國際大廠中。目前中國的MOCVD保有量已經達到全世界40%以上，但所有的GaN基LED都用到兩步生長法，所有的白光LED全部用到PSS襯底，即國內的LED芯片都存在專利侵權的風險。

該項技術的突破，將推動中國國內LED外延晶片原始創新技術及產業的健康發展，極有可能改寫目前國際LED晶片行業的競爭格局。