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國家中山科學研究院（簡稱中科院）化學研究所日前參與2014台灣LED照明展，於展會中發表LED照明產業原材料、螢光粉、封裝材料等領域的研發成果，其中由化學研究所致力發展的「氮化鋁基板」成果倍受矚目。
在經濟部科專計畫支持下，中科院研發用於高功率發光二極體(LED)封裝的「氮化鋁LED照明技術」，可有效解決LED散熱問題、延長使用壽命。氮 化鋁材料本身具有優異絕緣與高導熱特性，熱傳導值達K~200W/mK，並可取代現階段LED所使用的氧化鋁基板與矽基板，解決目前高功率LED開發上所 面臨之散熱等問題，且使用壽命約可延長6,000～7,000小時。
根據新電子20日報導，目前中科院氮化鋁樣品已送交給台灣陶瓷基板製造商進行驗證，預計經過半年測試後，最快將可於2015年正式技轉並協助其投產，之後將可開始供貨給台灣LED封裝廠。
中科院希望利用現有之研發能量，積極輔導台灣企業、建立氮化鋁LED之完整產業供應鏈，使台灣氮化鋁LED技術得以自主化深耕發展，帶動國內LED照明市場開發及提升LED技術之國際競爭力。
除了氮化鋁原材料技術開發之外，中科院在螢光粉方面，透過配方設計衍生新穎紅色258氮化物螢光粉專利，建立合成氮化物所需之無氧化製程技術，提升亮度、演色性與熱特性，希望能突破目前螢光粉專利技術掌握在日本之困境，扶植台灣本土企業。而在封裝材料方面，高散熱效果散熱膏及耐高低溫的低介電性封裝樹脂，能有效降低高效率的LED散熱設計之難度。
