|
|
|
競爭對手急起直追，三星電子冒冷汗，將豪擲17兆韓圜(150億美元)，研發3D NAND flash和OLED，鞏固領先優勢。
南韓先驅報29日報導，三星電子先前暗示，今年全年研 發費用為26兆韓圜，略高於去年的25.52兆韓圜。今年上半該公司用掉了8.8兆韓圜，意味還有17.2兆韓圜。這筆錢會用在哪邊？三星高層Lee Myung-jin給出方向，聲稱由於需求飆升，今年將專注於3D NAND和OLED面板。
據傳東芝(Toshiba)搶先研發出64層的3D NAND flash，並已送樣。三星是頭一個開發出3D NAND flash業者，目前仍是唯一有能力量產48層3D NAND flash的業者，為防對手搶單，今年三星將在南韓京畿道工廠增加更多產線。
OLED方面，三星電子也是中小型OLED面板的絕對霸主，市佔率接近97%，預料將砸下10兆韓圜，提升產能，為明年蘋果OLED訂單預作準備。三星計畫把OLED產量，從當前的每月6萬組，一年內拉升至7.5萬組。分析師估計，明年底前三星將投資15兆韓圜、發展OLED。
LG Display苦追，宣布將再砸2兆韓圜，投資小型OLED面板，希望2018年產線啟動時，能分到部分蘋果訂單。
南韓三星電子為全球第一家量產3D架構NAND型快閃記憶體(Flash Memory)的廠商，不過最大競爭對手東芝追趕速度驚人，宣布已領先全球同業、研發出堆疊64層的3D Flash產品，且開始進行送樣。
東芝27日發布新聞稿宣布，已研發出堆疊64層的3D Flash製程技術，並自今日起領先全球同業開始進行樣品出貨，且預計將透過甫於7月完工的四日市工廠「新第2廠房」進行生產。
韓媒etnews、BusinessKorea報導，NAND flash獲利較高，SK海力士也積極搶攻，今年下半將投資3兆韓圜，主要用於研發3D NAND flash，估計明年研發經費也有30~35%用於NAND，目標明年底3D NAND flash產出佔整體NAND的50%以上。
MoneyDJ新聞27日報導，紫光集團預計於武漢成立長江存儲科技，未來將納入武漢新芯並統籌旗下記憶體發展項目，目前整體規劃朝NAND Flash產業發展。
現階段武漢新芯在NAND Flash的布局領先其他中國記憶體業者，與飛索半導體合作開發的3D-NAND Flash技術正持續往32層堆疊的初期量產目標邁進，今年3月也在大基金的支持下興建新3D-NAND Flash廠，預計2018年上半年實現量產目標。
本文由嘉實資訊 MoneyDJ 授權使用
