隨著越來越多廠商開發先進顯示產品和技術解決方案，小間距顯示幕正在成為面板市場的發展趨勢。

英國矽基氮化鎵（GaN-on-Si）專家Plessey宣佈開發了一個創紀錄的2.5μm超高解析度Micro LED顯示器，用於可穿戴AR/VR設備。

Plessey一直致力於將Micro LED技術導入AR/VR顯示應用，本次採用了其專有的單片集成矽基氮化鎵技術，在2.5μm間距上實現了超精細、超高解析度（2000×2000）的顯示器，具備高亮度和高對比等優點，且在室外環境下觀看舒適。相比傳統 LCOS 或 DLP 顯示幕，此款Micro LED顯示幕僅消耗20%的能量。

(圖片來源: Plessey)

據瞭解，矽基氮化鎵技術具備很多優點。如：矽襯底的低熱阻性提高了熱提取效率，從而降低結溫，增強可靠性。該技術可提供卓越的能效、高解析度及無可超越的對比度。因其與大規模矽積體電路工藝相似，矽基氮化鎵技術可以擴展到逐漸增大的晶圓，改善成本、提高一致性和良率。

事實上，Plessey已通過單片集成Micro LED技術獲得了其它技術突破。

今年3月，該公司宣佈採用原本發出藍光的矽基氮化鎵開發出天然綠色LED。天然綠色LED是由GaN-on-Si外延生長工藝形成，與天然藍色LED類似，主要區別在於LED的量子阱結構中的銦含量。

5月，Plessey在2019年 SID Display Week上展出了首個單片集成矽基氮化鎵Micro LED顯示幕，由間距8μm的單色全高清（1920x1080）電流驅動像素陣列組成。（編譯：LEDinside Janice）