據報導，德國矽基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣佈與沙特阿卜都拉國王科技大學（KAUST）研究團隊合作，雙方將共同研發高效率的矽基板InGaN紅光Micro LED。

據瞭解，晶格失配（lattice mismatch）和量子限制斯塔克效應（quantum-confined Stark effect，QCSE）等問題限制了紅光氮基LED在實際工業應用中的使用，而ALLOS與KAUST的合作則將致力於解決這些基本問題。

(圖片來源：ALLOS)

值得注意的是，在Micro LED顯示領域，除了藍色和綠色LED之外，Micro LED顯示還對在大尺寸晶圓上生長紅光LED的需求持續提升，希望能藉此降低製造複雜性和成本。

據悉，KAUST團隊此前已經透過採用局部應變補償（Local Strain Compensation）和改良後的MOCVD反應器設計，在開發正向電壓（Forward Voltage）低於2.5V且高效的InGaN基紅色Micro LED方面獲得突破，並在藍寶石襯底和Ga2O3（氧化鎵）襯底上生長出紅光LED。

(圖片來源：KAUST)

為了採用晶圓級（尤其是大尺寸晶圓）工程應變技術來開發潛在高性能紅光LED，KAUST團隊與ALLOS共同將研究工作延伸到矽襯底上。憑藉能夠將晶圓片擴展到300mm以及在矽基襯底產線上加工的能力，雙方的合作將加快量產進程。對於Micro LED顯示器，特別是用於AR設備的單片集成Micro LED顯示器而言，這將是另一個重要的助攻。

KAUST團隊與ALLOS將充分利用各自的專業知識來處理應變問題，優化矽基氮化鎵和紅光LED的晶體生長條件，進而實現在矽基氮化鎵緩衝層上生長紅光LED堆疊（Stack）。

ALLOS的技術長Atsushi Nishikawa也將於2020 Micro LED Forum分享旗下的大尺吋晶圓片技術如何協助Micro LED顯示應用加速量產。線上研討會即將在7月29日正式開播，更多不能錯過的最新產業技術進展跟市場動向也將同步揭曉。把握最後早鳥優惠即刻註冊！

（LEDinside Janice編譯）