日前，國星光電公布了 Mini LED 產品的最新規劃，隨後，該公司在行業論壇上也透露了 Micro LED 技術研發的最新進展。

今年 6 月，國星推出第一代 Micro LED 顯示新品 nStarⅠ，採用玻璃基板製程、RGB 晶片巨量轉移技術以及一體式超薄封裝技術，有助於實現被動式驅動 Micro LED 全彩顯示螢幕。

▲ 國星 Micro LED 顯示新品 nStarⅠ。（Source：國星）

目前，國星光電在 Micro LED 領域已實現了較大的技術突破，在第一代 Micro LED 顯示螢幕的基礎上，已與面板廠合作開發出基於 TFT 玻璃背板的主動式驅動 Micro LED 全彩顯示螢幕。

近日，國星採用自主研發的巨量轉移技術，已經初步實現 250PPI 以上紅 / 綠 / 藍單色轉移鍵合點亮。預計明年將實現 P0.1 以下的主動式驅動全彩顯示及 P0.0x 以下的被動式驅動單色顯示，未來可滲透在 4K / 8K 大尺寸電視顯示螢幕、車載顯示螢幕、穿戴裝置顯示螢幕、AR / VR 等應用市場。

Mini LED 晶片方面，早前公開消息顯示，國星半導體的 Mini LED 晶片已通過客戶驗證規格，可供應直顯與背光產品，目前實現小批量出貨。

11 月底，國星 RGB 事業部將推出高性價比國星 Mini LED IMD-M09 標準版，預計在 2021 年做到 0.015 元 / 像素點。在承接了 SMD 1010 在規模化和價格的優勢基礎上，Mini LED IMD-M09 標準版未來價格有望低於 SMD 1010。

產能方面，國星現有 IMD 產能是 1000KK / 月，預計 2021 年 Q1 將顯著提升。值得注意的是，19 億的新基地擴產項目將於明年開始啟用。（LEDinside 整理）