據外媒報導，美國矽谷公司Sundiode Inc展示一個全彩Micro LED微顯示器，由堆疊式RGB Micro LED像素陣列組成，採用主動矩陣矽基CMOS背板驅動技術。

據悉，Sundiode位於美國加州聖克拉拉的坎貝爾，致力於開發用於AR/MR等設備的Micro LED顯示技術。今年4月，Sundiode公布其專有的堆疊式RGB Micro LED像素技術，並宣布與韓國科學技術研究院（Korea Photonics Technology Institute）合作在單晶圓上實現全彩Micro LED像素器件。

在此基礎上，Sundiode採用了Jasper Display Corp（位於美國加州聖克拉拉）可助力實現全彩的矽基CMOS背板，開發了堆疊式RGB Micro LED全彩顯示器，Micro LED晶片尺寸為100μm，顯示器尺寸為15.4mm×8.6mm，解析度為200PPI。

由堆疊式RGB像素陣列組成的微顯示器，每個像素都是堆疊式的RGB Micro LED器件。

據介紹，傳統Pick & Place取放技術製程需要單獨轉移R/G/B三個像素，而Sundiode的專有技術，只需要將單晶圓上的堆疊式RGB Micro LED像素陣列直接接合到矽基CMOS背板上。

此外，本次與Sundiode合作的JDC是一家無晶圓IC設計廠，提供支持開發Micro LED的CMOS背板技術，包括全高清、4K解析度的背板，具有出色的電流一致性和靈活的尋址功能。

之前，英國Plessey也曾選用JDC的矽基背板開發Micro LED顯示器。本次與Sundiode的合作再次表明其Micro LED CMOS背板技術可滿足客戶的定制化需求，適用於低功率的AR設備，也適用於汽車大燈等不同的應用。

目前，Sundiode正在進行下一階段的研發，旨在顯著提升全彩像素密度，以滿足AR/MR設備對顯示技術的要求。未來，Sundiode將力爭開發出基於堆疊式RGB像素技術的超高解析度微顯示器。

（LEDinside Janice編譯）