晶湛半導體發表Micro LED全彩外延片,打破300mm壁壘

蘇州晶湛半導體有限公司(簡稱晶湛半導體)8日發表Micro LED顯示產業應用的全彩系列外延片產品Full Color GaN®,新品外延片尺寸成功拓展至300mm。

據晶湛半導體介紹,Full Color GaN®是矽基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片,有更大的晶圓尺寸(200~300mm)和更佳表面品質,對提升LED晶元良率有獨特優勢。透過採用200 / 300mm FAB先進矽基晶片製程,外延片可製備高性能微型(5μm2)Micro LED畫素陣列,並可與Si CMOS驅動高良率混合整合。

透過採用應力工程和極化工程等專利技術,晶湛半導體Full Color GaN®全彩系列產品成功克服外延生長高效率紅光LED難題。

晶湛半導體Full Color GaN®全彩系列產品。

晶湛半導體指出,波長均勻性是實現Micro LED顯示的關鍵因素,Full Color GaN®全彩系列產品在整個200mm晶圓有出色波長均勻性(下圖),且藍光LED晶圓尺寸最大可到300mm,並有優異波長均勻性,全片標準偏差小於2奈米(下下圖)。

晶湛半導體200mm Full Color GaN®全彩系列LED外延片波長分布圖。

晶湛半導體300mm矽基氮化鎵藍光LED外延片波長分布圖。

缺陷密度方面,晶湛半導體表示Full Colar GaN®系列產品表面缺陷密度可控制在0.1/c㎡內,即使圖元尺寸微縮至2×2μm(陣列:100×100),所有圖元點依然都可點亮。

基於Full Color GaN®全彩系列外延片開發的Micro LED陣列,尺寸左起:50μm、15μm、5μm、2μm。

晶湛半導體創始人兼總裁程凱博士表示,對Micro LED單片整合而言,將RGB三種顏色整合到氮化鎵單一材料平台非常關鍵。Full Color GaN®全彩系列外延片將初步滿足業界對AR / MR系統的要求。300mm矽基氮化鎵外延片將推動GaN光電器件、GaN電子器件與矽器件的異構整合發展,有寬廣的應用前景。

晶湛半導體成立於2012年3月,擁有先進氮化鎵外延材料研發和產業化基地,致力為電力電子、射頻電子及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案。

除應用微顯示的外延片取得研發進展外,2021年應用功率器件的GaN外延片方面,晶湛半導體成功攻克12吋(300mm)無裂紋GaN-on-Si外延技術,成功涵蓋200V、650V、1200V等擊穿電壓應用場景需求,厚度不均勻度減少至0.3%,晶圓翹曲Bow<50μm,為GaN-on-Si外延片導入更加成熟精密的12吋(300mm)CMOS製程線鋪路。

3月晶湛半導體宣佈完成B+輪數億元戰略融資,由歌爾股份控股子公司歌爾微電子領投,高瓴創投、惠友資本、創新工廠等企業加碼跟投。本輪融資資金將用於晶湛半導體總部和研發中心建設。(來源:晶湛半導體、LEDinside整理)

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