第十三屆中國國際半導體照明論壇 (SSL China) 暨第三代半導體國際會議 (IFWS) 於2016年11月15-18日於北京國際會議中心舉行，貫徹中國十三五國家科技創新規劃，支撐落實戰略性先進電子材料重點專項。LEDinside 有此榮幸受邀參加會議，紀錄眾產業專家發表之重點趨勢，節集未來五年產業關鍵將更著重在跨產業應用，包含Micro LED、雷射照明、VCSEL 雷射、LiFi與可見光通訊、智慧照明與健康照明。同時受惠於中國對於半導體政策補助，加上高電流、高壓、高速市場需求，如基地台、高鐵、電動車充電站等等，寬禁帶半導體產業發展，包含氮化鎵與碳化矽功率元件更受矚目。同時，因應市場需求，Aixtron 與 VEECO 相繼推出適合功率元件設備機台，強調能提升更好的良率與生產力，降低成本，單一反應爐 (Single Wafer Reactor)能提高晶圓品質的一致性。

 

[氮化鎵功率元件]

相對於使用Si MOSFET 或是 Si IGBT，氮化鎵功率元件擁有更高的功率密度、更好的能源效率、高信賴性、高速，相當適合快速開關、散熱、與PCB 電路設計 (Layout)，提供小體積的產品設計，如AC-DC 電源供應應用於消費者產品、資訊中心(Data Center)。

 

 

 

未來再發展氮化鎵功率元件產品上，封裝與模組設計上除了更需符合市場需求，同時也需達到市場化生產的可能。2016-2017 年主要市場需求則在AC-DC 電源供應應用於消費者產品、資訊中心(Data Center)、工業企業市場、太陽能逆變器、車用市場應用等。

 

[碳化矽功率元件]

氮化鎵功率元件將可達到900V 的表現能力；而碳化矽功率元件的產品將更可提升到更高壓的市場。目前國際廠商的產品以可達到1200V 以上，更適合應用於高速、高壓、高溫應用市場，包含高鐵、基地台、自動化廠房市場應用等。

SiC MOSFET 擁有更好的低傳導損耗 (Lower Conduction Loss) 與低開關損耗 (Lower Switching Loss)。在功率元件模組設計上考量，除了可靠度外，降低雜散電感電容 (Stray Inductance and Capacitor)是相當重要的，並且產品設計涵蓋柵級驅動 (Gate Drive Circuit) 保護電流 (Protection Circuit)。同時，推出更適用的封裝將幫助產品應用於市場。若能有相關雲端監測系統幫助工作壽命與可靠度的提升，也是相當符合市場需求。美國與日本國際廠商盡如碳化矽功率元件較早，產品也有明顯的大幅發展，然而韓國也建立的相當完整的供應鏈，期待未來市場發展迅速。