生長LED有機層的晶圓製程方法有氣相晶圓(VPE）、液相晶圓（LPE）、金屬有機化學氣相澱積（MOCVD）、分子束晶圓（MBE）。它們生長LED有機層的材料分別有氣相晶圓CaAsp、GaP，液相晶圓GaP，GaAlAs，金屬有機物化學氣相澱積InGaAlP、InCaN，分子束晶圓ZnSe等。

氣相晶圓比較簡單，往往在晶圓生長後要再通過用擴散的方法製作PN結，所以效率低。

液相晶圓已能一爐生長60-100片，生產效率較高，通過稼的重複使用成本也已降得很低，可用以製造高亮度GaP綠色發光器件和一般亮度的GaP紅色發光器件，也可用它製造超高亮度GaAlAs發光器件。

金屬有機化學氣相澱積法（MOCVD）是目前生產超高亮度InCaN藍、綠色LED和InCaAIP紅、黃色LED的主要方法，它既能精確控制生長厚度，又能精密控制晶圓層的組成。可用此法生長超高亮度LED結構中所需要的量子阱階層和DBR反射結構種的20個左右的週期層，也適用於大量生產，是目前生產超高亮度LED的主要方法。

分子束晶圓目前主要用於研製ZnSe白色發光二極體，效果很好，能生長小於10A的晶圓層，缺點是生長數度較慢，每小時約1mm，裝片容量也頗少，生產效率較低。