近日，瑞薩電子正式宣佈加強公司化合物半導體業務的新目標，包括由化合物半導體（如砷化鎵（GaAs））構成的光學器件和微波器件。該公司計劃：利用光電耦合器、RF（射頻）開關IC和其它重點產品獲取全球最大的市場份額。在2011年3月之前推出氮化鎵（GaN）基半導體產品。

在光電耦合器方面，瑞薩電子計劃加快開發高溫操作、低功耗和小型封裝，以便滿足「綠色」市場不斷增長的需求，如混合動力和電動車、LED照明系統與電表。

公司計劃通過結合面向高壓和大電流輸出的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）與微控制器（MCU）來進一步拓展光電耦合器的銷售。公司特別決定通過將職員總數增加1倍來加強其海外營銷職能。將其生產容量在2009年Q4的基礎上擴大1倍。努力在2011財年獲取光點耦合器市場世界最大份額。

在具有RF功能的電子器件（如手機和筆記本電腦）上實現收發轉換、3G-GSM轉換和天線轉換的RF開關IC方面，瑞薩電子計劃採用業內領先的新型低損耗晶體管，並推出採用小型封裝技術的產品，採用超小型封裝的RF開關IC產品或以裸晶片的形式推出RF開關IC。還計劃通過與美國、歐洲和中國台灣的芯片集供應商合作來擴展RF開關IC業務，從而為系統製造商提供參考設計。力圖獲取世界最大的RF開關IC市場份額。

在GaN基半導體產品方面，瑞薩電子通過將GaN層堆疊到Si基片上來生產電路。可以實現更大的晶圓（6英吋晶圓），並且還能夠以較低的成本生產半導體器件。該公司計劃先推出面向CATV（有線電視）放大器市場的、高可靠性、高功能GaN基產品。預計2011年3月開始發售瑞薩電子的首款GaN基產品樣品 —— 一 款面向CATV的標準器件，它整合了多個GaN FET、冷凝器和其他器件。

瑞薩電子預計，2010財年到2012財年化合物半導體市場的年平均增長率將達到 8%。並進一步可將其化合物半導體業務擴大11%，到2012財年將化合物半導體銷售額提高1.2 倍，成為業內領先的化合物半導體供應商。