科銳公司（納斯達克：CREE）日前在 巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出其 2.7~3.5 GHz（S 波段）最新封裝 GaN HEMT 功率晶體管與高功率放大器 (HPA) 單片式微波集成電路（MMIC）。這些產品提供業界最佳的功率與效率組合，可實現 60% 的典型功率附加效率 (PAE)。與現有解決方案相比，可降低20%的能耗。

科銳無線射頻（RF） 總監 Jim Milligan 指出：業界領先的 S 波段 GaN HEMT 器件能夠滿足空中交通管控、氣象雷達以及國土安全防衛等各種民用與軍事應用需求。熱管理是雷達系統的一個重要考慮因素，科銳 GaN HEMT 產品可提供極高效率的解決方案，可讓功率耗散更低、功率分佈更簡化、器件封裝更小、重量系統更輕。

S 波段晶體管 CGH31240F 與 CGH35240F 內部全面匹配于 50 歐姆 (Ω) ，在 2.7 至 3.1 GHz 與 3.1 至 3.5 GHz 下都能提供 240 瓦特的飽和RF 輸出功率。採用小型封裝（0.9” x 0.68”）實現大於 11dB 的功率增益，支持 60% 典型功率附加效率。此外，與 GaAs 及 Si 等其它技術相比，SiC 上 GaN 的高效率與出色熱特性可以讓這些器件在特定工作條件下實現不足 0.2dB 的出色脈頂傾斜。

CMPA2735075F 是雙級 GaN HEMT 大功率MMIC放大器，2.7 至 3.5 GHz 內飽和 RF 輸出功率為 75 瓦特，採用小型封裝（0.5” x 0.5”），功率增益為 20dB。這是市場上首款，也是唯一一款 S 波段 GaN HEMT MMIC 高功率放大器（HPA），其支持 300 微秒的脈寬與20% 的占空比，可實現 60% 的典型功率附加效益 (PAE)。

CGH31240F、CGH35240F 與 CMPA2735075F 現已開始供貨。