氮化鎵基半導體層是生產藍光譜晶片（包括白光LED）的最常用工藝，氮化鎵層是通過在藍寶石襯底上使用MOCVD這樣的外延法生長出來的。為了散熱，需要在用於生長外延層的藍寶石襯底上結合一層金屬，但是如果藍寶石和金屬層的熱膨脹係數不同，熱膨脹係數低的材質容易發生破裂從而影響外延層的生長品質。為防止出現這樣的缺陷，理想的金屬層應該具有和藍寶石相同的熱膨脹係數。

鉬是原來常用的金屬材料，其導熱性好且耐熱，但是其熱膨脹係數低於藍寶石(Al2O3)的熱膨脹係數（約為5）。新研發出來的鉬銅複合材料Mo-Cu R670具有和藍寶石相同的熱膨脹係數，其熱導率為170W/mK，溫度漂移6.7ppm/K。