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GT Advanced Technologies (GTAT)宣佈向Kyma Technologies, Inc.收購其等離子體汽相澱積(PVD)技術及專門知識的獨家使用權。Kyma所開發的等離子體汽相澱積柱狀納米技術(PVDNC(TM))可以在氮化鎵沉澱前,在晶圓上沉積一層高品質的生長型初始層氮化鋁。GT 計劃將等離子體汽相澱積工具商業化,以配合其正在研發的氫化物氣相外延(HVPE)系統,該組合將令LED生產商可以在圖案化或平面晶圓上,用更低的成本生產更高產量的氮化鎵模板。GT已經有一個可以用於大量生產的原型工具,結合Kyma的等離子體汽相澱積柱狀納米技術,預期到2015年上半年即可提供量產工具。
GTAT的總裁兼首席執行官Tom Gutierrez 表示:「Kyma創新的「柱狀納米」PVDNC技術為我們不斷擴張的LED生產基地帶來了重要的補充。我們的目標是提供一系列的解決方案,以提升LED的生產品質及降低成本。將GT的PVD AlN工具與我們正在研發的HVPE系統相結合,預計可讓LED生產商以比現行生產技術更低的成本生產出開盒即用晶圓。」
Kyma的總裁兼首席執行官Keith Evans表示:「我們非常高興GT決定將我們的等離子體汽相澱積柱狀納米技術商業化。經過多年創新及生產AIN模板,我們深信柱狀納米AlN 薄膜將為LED行業帶來實實在在的好處。」
今天,將氮化鎵沉積在開盒即用的晶圓時,需要使用較為昂貴而且進程緩慢的MOCVD工具。透過結合PVD與HVPE這兩個流程,將可以生產低成本的氮化鎵模板,廠商將能夠利用現有的LED生產線擴產;另外,由於他們需要的MOCVD 工具更少,此舉也可以降低其資本開支。