由思坦科技與南方科技大學、香港科技大學、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）聯合攻關的重大成果——基於高功率AlGaN 深紫外Micro LED顯示的無掩膜光刻技術，於10月15日正式發表於國際頂尖權威學術期刊Nature Photonics。思坦科技Micro LED研究院青年研究員馮鋒博士為第一作者，思坦科技創辦人劉召軍博士為通訊作者。本工作中由思坦科技提供驅動IC晶片，並承擔示範應用工作。

光刻技術：皇冠上的那顆明珠

在積體電路晶片製造中，光刻是至關重要的一個環節。光刻技術是指在光照作用下，借助光阻將掩膜版上的圖形轉移到晶圓上的技術。由於光刻的製程水準直接決定晶片的製程水平和性能水平，光刻成為晶片製造中最複雜、最關鍵的製程步驟。且傳統微影機的機械結構複雜、系統體積龐大，相關技術被歐美發達國家所壟斷封鎖，也成為半導體產業的「卡脖子」技術。

在傳統光刻過程中，掩膜版的製造和更換成本高昂，光刻效率也受到多重限制。而思坦科技研發的高功率AlGaN 深紫外Micro LED技術，利用無掩膜光刻的方式，不僅解決了半導體製造中的關鍵技術瓶頸，還提供了一條製造成本更低、曝光效率更高的解決方案。

高功率AlGaN 深紫外Micro LED技術：無掩膜光刻的革命性突破

此技術的核心在於使用鋁鎵氮（AlGaN）材料製造發光波長為270 奈米的深紫外Micro LED，這些LED 像素尺寸僅為3 微米，外量子效率達5.7%，發光亮度達396 W/cm2，克服了傳統微影技術的光功率限制。透過CMOS 驅動直接顯示曝光圖案，深紫外線Micro LED顯示技術實現了圖案與光源的集成，避免了掩膜版的複雜操作流程。此外，解析度高達320×140 像素、像素密度為2540 PPI的UVCMicro LED顯示器展現了其在半導體領域精密製造的巨大潛力。

開啟半導體無掩膜光刻時代

目前，這種基於深紫外線Micro LED顯示技術的無掩膜光刻方法，已被驗證成功應用於Micro LED顯示螢幕的製造中。這項突破顯著節省了光刻掩模板製造的高成本，同時在效率上遠遠超過電子束直寫的無掩膜曝光技術。

這項研究標誌著深紫外Micro LED技術將開啟無掩膜光刻的創新解決方案，這對於包括半導體在內的眾多產業而言都是一項革命性進展。

作為專注於光子學領域的專業期刊，Nature Photonics 發表高品質、經過同行評審的研究成果，內容涵蓋光的產生、操縱和檢測的各個方面。

接下來，思坦團隊將持續提升AlGaN 深紫外Micro LED的各項性能，並對原型機進行改進，開發2~8k高解析度的深紫外Micro LED顯示產品，為半導體製造領域提供更有效率、更具成本效益的晶片製造解決方案，協助全球科技產業的快速升級。或許在不久的未來，便可在科學研究、醫療、特殊場景應用等領域內見證此技術的產業化應用。 （圖片來源：思坦科技）

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