近日，韓國高麗大學Tae-Geun Kim研究團隊提出了一種新型AM （Active-Matrix（有源矩陣））Micro LED顯示架構，成功擺脫了傳統晶體管與電容的限制，實現更高的集成密度、更優的能效與更簡化的制造流程。

圖片來源：International Journal of Extreme Manufacturing

據悉，傳統AM Micro LED顯示技術通常依賴晶體管和電容來驅動像素，但這不僅限制了器件集成度，也增加了功耗與工藝覆雜度。盡管過往研究人員已嘗試將晶體管單片集成至Micro LED芯片或采用CMOS驅動電路，但仍面臨晶體管性能不穩定、工藝覆雜以及對電容集成TFT背板依賴等問題。

此次研究中，Tae-Geun Kim團隊創新性地提出了一種基於鍺碲憶阻器（Germanium Telluride Memristor, GT-MEMT）的無電容AM Micro LED顯示架構。該憶阻器與Micro LED芯片實現單片集成，具備多級電阻切換特性、強驅動能力和極低的工作電壓（設定電壓 <0.2 V，覆位電壓 >0.2 V），同時在熱穩定性與電穩定性方面表現優異。

更重要的是，GT-MEMT的制程無需熱退火工藝，相比傳統的TFT系統大幅簡化了陣列集成流程。Tae-Geun Kim研究團隊基於這一架構，成功制備出12×12無電容AM Micro LED陣列，能夠穩定顯示字母字符，驗證了其在高分辨率顯示中的可行性。

Tae-Geun Kim研究團隊表示，該研究成果顯示，能效出色的GT-MEMT為取代傳統TFT-電容驅動方案提供了新方向，有望推動新一代低功耗、高分辨率Micro LED顯示技術的發展，為AR/VR、微型投影及穿戴顯示設備帶來更輕薄、更節能的解決方案。（LEDinside整理）

TrendForce 2025 Micro LED 顯示與非顯示應用市場分析
出刊日期: 2025年5月29日/ 11月 30 日
語系: 中文 / 英文
格式: PDF
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