LEDinside在Micro LED前瞻技術論文徵集比賽中，各家廠商跟學者都針對Micro LED技術發展的不同面向提出解決方法。除了巨量轉移與全彩化的技術外，Micro LED的背板也是技術突破的重要關鍵。

獲得優選的美國新創公司QMAT，便聚焦於Micro LED的基板技術。其獲選論文Engineered Substrates for High Efficiency Micro LEDs and Commercialized High Volume Manufacturing Production指出其EpiMax基板製造技術，能有效率提升Micro LED的製作效率，減少有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的作用時間，並強化Micro LED的製造品質及效率，加速商業化進程。

(論文作者: Philip Ong, QMAT)


(論文作者:Dong Lee, QMAT)

QMAT的論文強調，使用氮化鎵GaN作為MOCVD的基礎層，能夠強化設備的作用效率，並減少電流密度操作點的變異性。此外，QMAT的層次轉移技術，能將目標基板設計成跟磊晶片轉移前的基板一樣，因此磊晶片能夠被充分利用。

(來源: QMAT)

QMAT基板技術的優勢在於能夠強化設備性能，降低基板成本，還能減少MOCVD作用時間。同時，基板本身可以直接做為轉移底座，並且整合雷射剝離技術層(Laser-Lift-Off)進行後續切除。

針對QMAT所提出的基板技術，交通大學光電研究所的評審認為，QMAT的EpiMax基板能夠直接用於測試跟轉印的設計，在Micro LED製程上相當具有優勢。而工研院CIMS聯盟則認為，QMAT的基板能用於雷射剝離技術，降低LED晶粒的缺陷，有助於後續製程。

全文請見：Engineered Substrates for High Efficiency Micro LEDs and Commercialized High Volume Manufacturing Production

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