功率型LED燈的研發是市場關注的焦點，超高亮度InGaAIP紅黃光與InGaN藍綠光LED零件的研制成功與迅速發展，為功率型LED零件的開發奠定了基礎。在未來的產業化發展之路中，功率型LED將具備良好的市場前景。

一、金屬有機化合物汽相澱積（MOCVD）　
使用業界常見的金屬有機化合物汽相澱積的外延生長技術，以及多量子井架構來擴大LED晶片面積，從而加大晶片的工作電流，提高晶片的整體功率。從目前單晶片1瓦、3瓦和5瓦的大功率LED向功率高至10瓦，具有更高發光效率、經濟實用的固態LED照明光源邁進。

二、晶片鍵合（Water Bonding）　
目前使用晶片鍵合的A1GaInP（TS）取代吸光的GaAs襯底（AS）的倒梯形架構的功率型大面積晶片，工作電流可達500毫安培（mA），光通量超過60流明（lm），以脈衝方式工作時，則可達140流明（lm）。此用InGaAIP（AS）材質表面架構的新一代功率型LED晶片，可以獲得大於5成的外量子效率，其基本效能與TS架構的LED產品類似，可取代一般的方形晶片，而且還可以很容易按比例放大成為功率型的大大小晶片，因此在降低生產成本和實現產業化規模生產方面，材質表面高效取光架構的InGaAIP（AS）LED具有廣闊的發展前景。　

三、晶片架構　
功率型LED所用的外延材料，雖然其內量子效率還需進一步提高，但獲得高發光通量的最大障礙乃是晶片的取光效率低，其原因是半導體與封裝環氧的折射率相差較大，致使內部的全反射臨界角很小。

現階段，一般理念設計的超高亮度LED產品，並不能充分滿足照明所需的亮度。為了提高LED的亮度，必須使用新的設計理念，用倒裝焊新架構來提高晶片的發光效率。

四、生產製程
1.金屬有機化合物汽相澱積（MOCVD）
2.倒裝焊接與晶片鍵合
3.材質表面架構與動態自適應粉塗布量控制。

五、產業化技術指標
1.晶片功率：1W、3W、5W、10W
2.產品成品率必須大於等於95％以上

六、未來發展動向
1.手電筒、礦燈、航標燈等均為大功率LED的重要應用範圍。
2.車用市場將是白光LED的高成長領域，汽車內外部照明均會用到大功率ＬＥＤ。
3.手機、數位相機用的閃光燈，將會進一步提高高率LED的利用率。
4.路燈照明、燈飾、景觀燈會慢慢地用高功率LED產品取代霓虹燈，被視為重要市場。