美國Cree介紹藍色LED晶片開發狀況及結構
2007-06-20 11:54 [編輯:ivan]
LED芯片大廠美國Cree公司在14-15日在日經電子和日經微器件共同舉辦的LED技術研討會2007上,介紹了在SiC底板上形成的藍色LED的開發狀況,並展示了開發中的藍色LED晶片的結構。
在藍色LED的光輸出功率方面,Cree預測表示,輸入電流為20mA的產品,最大輸出功率07年7月將達36mW,08年7月將達40mW,09年7月將提高到44mW;輸入電流為350mA的產品,最大光輸出效率07年1月為340mW,預計08年1月可達420mW,09年1月將為500mW,09年10月達到550mW,並將一直提高下去。而與螢光材料組合而成的白色LED,目前量產產品的發光效率為80lm/W,開發產品已達到了120lm/W,09年可望實現量產產品發光效率達120lm/W。
另外,Cree公司還展示了開發中的藍色LED晶片的結構,它在SiC底板上使得GaN發生外延生長(Epitaxial Growth)。該晶片結構為,不採用下部電極而從表面實現正負極連接的2線焊(Wire Bonding)連接倒裝晶片(Flip Chip)結構。由於沒有下部電極,所以發光層發出的光在GaN層內不再發生反覆反射,與之前的晶片結構相比,晶片的光取出效率將會大大提高。
【免責聲明】
1、「LEDinside」包含的內容和資訊是根據公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和資訊並未經獨立核實。本網站有權但無此義務,改善或更正在本網站的任何部分之錯誤或疏失。
2、任何在「LEDinside」上出現的資訊(包括但不限於公司資料、資訊、研究報告、產品價格等),力求但不保證資料的準確性,均只作為參考,您須對您自主決定的行為負責。如有錯漏,請以各公司官方網站公佈為準。
【版權聲明】
「LEDinside」所刊原創內容之著作權屬於「LEDinside」網站所有,未經本站之同意或授權,任何人不得以任何形式重制、轉載、散佈、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部,亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。