LED 領域的市場領先者科銳公司（CREE）日前宣布推出其最新低基面位錯（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小於1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小於0.1 cm-2。這一新型低基面位錯材料的推出進一步體現了科銳長期以來對碳化硅材料技術的不斷投入和創新。

科銳功率器件與射頻（RF）首席技術官 John Palmour 表示：“碳化硅雙極型（Bipolar）器件的發展長期以來受制于基面位錯引起的正向電壓衰減。該款低基面位錯材料能夠用於諸如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和可關斷晶閘管（GTO）等高壓雙極型器件，並且增加這些器件的穩定性。這一最新成果有助於消除遲滯高功率器件商業化的阻礙。”

碳化硅是一種高性能的半導體材料，被廣泛地應用在照明、功率器件和通訊器件產品的生產中，包括髮光二級管（LED）、功率轉換器件以及無線通訊用射頻功率晶體管等。