晶電已於近日取得第1,000件專利證書。晶電於全球另有1,000件以上的專利申請案尚在進行審理中，因此，未來獲證量將持續成長，專利佈局朝下一個里程碑邁進。

自1996年成立以來，晶電堅信技術研發的領先是在LED產業中扮演重要角色的必要條件，而如專利等智慧財產權的佈局則是引領公司走向成功之道的指標。

在晶電大量的專利佈局中，最早展開的核心技術是晶電創始人於ITRI(工業技術研究院)時開發的ITO技術。發光二極體在早期發展時使用薄金屬來擴散電流，但此結構有光摘出效率不佳的缺點。晶電創始人了解ITO具有透明性及導電性的優點，於發光二極體中採用ITO來增進電流擴散及提高出光效率。此外，因為ITO的低接觸電阻特性可以作為良好的歐姆接觸層，且它的光學特性也適合光場調整。晶電這項創新科技的在全中國、日本、韓國、台灣及美國等地均獲得專利。

晶電的另一項核心技術是接合技術，它提供了發光元件選擇基板的彈性。晶電的研發團隊發展出使用多種材質，例如金屬、膠材及絕緣材料的接合技術，使磊晶結構不受成長基板的限制。以GaN-on-Si為例，當於矽基板上成長氮化物後，磊晶結構可藉由接合技術轉移到透明或反射載體，以避免因為矽的不透明性造成光線被吸收。在其他應用上，多個不同色光的LED結構可被結合在一個共同的基板上進行混光。因為不同的結合材質，LED可依應用需要設置在不同的載體上。舉例來說，低溫金屬結合製程可強化機械強度加上所需之反射特性來提高光摘出效率，有助於降低垂直結構藍光LED之製造成本。另外，晶電創新的膠材或絕緣材料結合可提供LED兼顧機械強度與透明度的透明介面，非常適合照明與LED顯示器應用。晶電成功地獲得這項技術的多國專利，包含中國、日本、韓國、台灣及美國專利。

對需要高功率的應用而言，大尺寸晶粒通常是較佳選擇，因為它可承受高注入電流而具有高電性效率。晶電自一家瑞士公司取得相關核心專利，包含延伸電極的設計，可降低製造成本同時解決光在LED晶粒內受到侷限或損耗的問題以增加光電效率。

作為第一家成功量產高電壓 (HV) LED晶粒的公司，晶電也發展多單元/多接面形成於一共同基板的多種排列設計以利高電壓驅動。藉由巧妙的導線設計，HV LED晶粒有絕佳的電特性與適用於多元化照明應用的彈性。除了此種特別的結構，由於晶電可提供全光譜的產品，搭配其絕佳的單一或多單元/多接面的紅光及藍光晶粒，晶電可協助客戶加以組合提供暖白色的LED 照明方案。晶電已於中國、日本、韓國、台灣及美國等國家取得相關的設計專利與發明專利。

晶電研發團隊擁有豐沛的研究能量及遠見，因此目前的專利佈局中已有不少隨時可運用的新技術，以迎接LED照明時代的來臨。於透明載體上串接多顆晶粒形成仿燈絲結構以應用於取代型燈泡或燈具，便是具代表性的佳作之一。再者，晶電也在非接觸式螢光粉領域中取得專屬授權，適用於波長轉換元件與照明光源間具有光學元件的結構。有了這些受專利保護的技術，晶電可與客戶一起開發更具競爭力的產品，並加快LED在照明領域發展的速度。

晶電不僅尊重他人之智慧財產權，對保護自己的智慧財產權亦不遺餘力。因此除了自己發展專利外，亦向外購買取得專利以強化專利佈局。專利不只展示了晶電於工程的努力與能力，也使晶電的客戶與夥伴在LED產業中能更有保障。