近日，中國能訊微電子有限公司向AIXTRON 愛思強下達首筆訂單，購買愛思強近耦合噴淋頭@（CCS）CRIUS@ MOCVD 系統，用於氮化半導體電子器件的生產。該系統將成為中國首台用於專門生產氮化鎵（GaN）電子器件的系統。

該AIXTRON 愛思強系統將被應用於在碳化硅和硅基材上生長氮化鎵和相關氮化半導體外延層，以生產微波和功率器件。

目前，該系統已完成安裝和調試工作，隨時可用於生產優質的氮化鎵外延晶片。能訊微電子總裁兼首席執行官張乃千博士評價道：“邁出這一步對我們而言至關重要。高功率和高效率的氮化鎵電子器件是下一代功率管理和數據通信的重要組件。這項具有顛覆性意義的技術將幫助我們實現社會的可持續發展。愛思強反應器已被證明是應用於整個生產當之無愧的選擇。”

AIXTRON 愛思強副總裁兼電力電子項目經理Frank Wischmeyer 博士表示：“能訊微電子的技術團隊在愛思強CCS 技術的應用方面已有豐富的經驗。我們希望通過我們的專業知識為他們提供支持，從而加快氮化鎵功率器件進入中國市場的步伐。”

與傳統硅器件相比，氮化鎵電子器件能使高頻率（RF）和電力電子應用發揮出更優越的效率和功率密度性能。然而，實際應用中必須攻克兩大難關：第一，氮化鎵與異質襯底之間存在嚴重的晶格失配，因此其生長必須經過特殊程序處理；第二，為了能與硅器件競爭，必須盡可能地降低其製造成本，這就要求最先進的MOCVD 技術提供高度一致性與再現性。