氮化鎵（GaN）是由氮與鎵化合物半導體技術，由於擁有電子移動率高、開關切換損失低與較少發生晶格不匹配（Lattice mismatch）的問題，氮化鎵基板主要用於光電半導體與電子產業，其中氮化鎵基板70%應用於LED市場。
氮化鎵基板市場商機龐大，除了LED市場，也可應用於逆變器、射頻（RF）設備、電源供應器與馬達驅動器，為市場上最具發展潛力的半導體之一，預估氮化鎵基板市場將以11.75%的複合增長率成長，商機將在2020年超過40億美金。
而在LED市場中，雖然目前以藍寶石基板與矽基板為大宗，但其基板與磊晶層材料為不同材質，容易在氮化鎵薄膜中產生缺陷，導致磊晶片彎曲與發光效率下降，因此改變基材為LED技術的研發重點。
氮化鎵基板則擁有寬能隙及優越的熱傳導特性與轉換效率，能在更高的溫度與功率下運作，且氮化鎵基板為導電材質，有別於藍寶石基版將電極放同一側，氮化鎵基板可將電極放在元件上下兩側，具有較佳的電流擴散特性，縮小體積之餘，還能簡化製造步驟。
目前市場上存有直徑2吋、4吋和6吋的氮化鎵基板，然而因為空間與邊緣的浪費，導致發電效率下降，而大尺寸的氮化鎵基板是否能成功研發，將是未來市場增減的關鍵。美國、日本與韓國皆著手開發直徑6吋以上的氮化鎵基板，但準備氮化鎵單晶材料較為困難，高昂的成本也是各國眼前的重要考量。（文／DaisyChuang）
